Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт

Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Лазерный диод DFB 1650 нм 2.5 Гбит/с, 1 мВт
Запрос цены

Лазерный диод с длиной волны 1650 нм, скоростью передачи 2.5 гбит/с и мощностью 1 мВт в основном используется в качестве стабилизированного или модулированного источника света. Он также подходит для применения в качестве источника лазерного излучения в испытательных приборах и оптических рефлектометрах.

(Чтобы получить более детальную информацию о продукте, пожалуйста, загрузите данный  -файл.)

Оптические и электрические характеристики
Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Условия испытания
Номинальная мощность Po 1 2 - мВт Ith 30 мА
Пороговый ток Ith 10 - 20 мА Непрерывный режим
Падение напряжения в режиме прямого тока Vop - 1,1 1,5 В Непрерывный режим, Ith 30 мА
Средняя длина волны λc 1645 1650 1655 нм -
Ширина спектра (-3 дБ) Δλ - 0.5 1 нм Ith 30 мА
Коэффициент подавления побочных мод SMSR 30 40 - дБ -
Полоса пропускания Bw - 2,5 - ГГц RI=50 Ом
Ток мониторинга Im 0,1 0,5 1 мА Непрерывный режим, Ith 30 мА
Темновой ток Id - - 100 нА Непрерывный режим, Ith 30 мА
Оптическая изоляция ISO 30 - - дБ 25℃
Новинки
Другие продукты
видео
Отправить сообщение
Отправить сообщение