Лазерный диод DFB с волоконным выводом

Лазерный диод DFB с волоконным выводом
Лазерный диод DFB с волоконным выводом
Лазерный диод DFB с волоконным выводом
Лазерный диод DFB с волоконным выводом
Лазерный диод DFB с волоконным выводом
Лазерный диод DFB с волоконным выводом
Лазерный диод DFB с волоконным выводом
Запрос цены

Лазерный диод DFB (с распределенной обратной связью) с волоконным выводом разработан на основе FP лазера с добавлением фильтра с дифракционной решеткой, что позволяет работать в режиме генерации одной продольной моды. Лазерные диоды с распределенной обратной связью обладают такими достоинствами, как большая выходная мощность, малая расходимость луча, узкий спектр и высокая скорость модуляции. Они отлично подходят для систем междугородной связи, систем кабельного телевидения, сетей GSM или CDMA и других систем с аналоговой модуляцией.

Лазерный модуль с волоконным выводом включает чип MQW-DFB с длиной волны 1310 нм или 1550 нм, 4-х контактный разъем и вывод на одномодовое оптоволокно. Он поддерживает низкий рабочий ток и высокую выходную мощность между 1 и 10 мВт. Кроме того, он вырабатывает минимальный уровень шума при высокой линейной выходной мощности. Лазерный диод может быть оснащен коннектором типа SC/APC или FC/APC.

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1310 нм 1-4 мВт

(Чтобы получить более детальную информацию о продукте, пожалуйста, загрузите данный -файл.)

Оптические и электрические характеристики
Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Условия испытания
Номинальная мощность Po 1 - 4 мВт Ith 20 мА
Дифференциальная эффективность SE 0,2 мВт/мА
Пороговый ток Ith 10 15 мА -
Прямое напряжение Vop - 1,0 1,2 В Непрерывный режим, Ith 20 мА
Средняя длина волны λc 1300 1310 1320 нм -
Ширина спектра(-3 дБ) Δλ - 0,5 1 нм Ith 20 мА
Коэффициент подавления побочных мод SMSR 35 - дБ -
Полоса пропускания Bw 2,5 ГГц
Ток мониторинга Im 100 900 мкА Непрерывный режим, Ith 20 мА
Темновой ток Id - - 100 нА
Оптическая изоляция (одноступенчатая) ISO 35 40 - дБ
Оптическая изоляция (двухступенчатая) ISO 45 50 - дБ
Обратные потери RL -45 дБ
Аналоговые характеристики
Относительная интенсивность шума RIN - -155 -150 дБ/Гц -
Неравномерность АЧХ BF ±1.5 дБ
Искажение третьего порядка IMD3 - -55 - дБн
Отношение сигнал/шум CNR 51 - - дБ Примечание 1
Композитные искажения второго порядка CSO - - -57 дБн
Композитные тройные биения CTB - - -65 дБн

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1310 нм 1-4 мВт 8-10 мВт

(Чтобы получить более детальную информацию о продукте, пожалуйста, загрузите данный -файл.)

Схема лазерного диода

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1550 нм 1-3 мВт

(Чтобы получить более детальную информацию о продукте, пожалуйста, загрузите данный  -файл.)

Оптические и электрические характеристики
Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Условия испытания
Номинальная мощность Po 6 8 10 мВт Ith 40 мА
Дифференциальная эффективность SE 0,15 0,2 мВт/мА
Пороговый ток Ith 10 15 мА -
Рабочий ток Iop 50 70 мА
Прямое напряжение Vop - 1,0 1,2 В Непрерывный режим, Ith 40 мА
Средняя длина волны λc 1540 1550 1560 нм -
Ширина спектра(-3 дБ) Δλ - 0,5 1 нм Ith 40 мА
Коэффициент подавления побочных мод SMSR 35 - дБ -
Полоса пропускания Bw 2,5 ГГц
Ток мониторинга Im 100 1200 мкА Непрерывный режим, Ith 40 мА
Темновой ток Id - - 100 нА
Оптическая изоляция (одноступенчатая) ISO 35 40 - дБ
Оптическая изоляция (двухступенчатая) ISO 45 50 - дБ
Обратные потери RL -45 дБ
Аналоговые характеристики
Относительная интенсивность шума RIN - -155 -150 дБ/Гц -
Неравномерность АЧХ BF ±1,5 дБ
Искажение третьего порядка IMD3 - -55 - дБн
Отношение сигнал/шум CNR 51 - - дБ Примечание 1
Композитные искажения второго порядка CSO - - -57 дБн
Композитные тройные биения CTB - - -65 дБн

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1550 нм 6-8 мВт

(Чтобы получить более детальную информацию о продукте, пожалуйста, загрузите данный  -файл.)

Оптические и электрические характеристики
Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Условия испытания
Номинальная мощность Po 6 8 10 мВт Ith 40 мА
Дифференциальная эффективность SE 0,15 0,2 мВт/мА
Пороговый ток Ith 10 15 мА -
Рабочий ток Iop 50 70 мА
Прямое напряжение Vop - 1,0 1,2 В Непрерывный режим, Ith 40 мА
Средняя длина волны λc 1540 1550 1560 нм -
Ширина спектра(-3 дБ) Δλ - 0,5 1 нм Ith 40 мА
Коэффициент подавления побочных мод SMSR 35 - дБ -
Полоса пропускания Bw 2,5 ГГц
Ток мониторинга Im 100 1200 мкА Непрерывный режим, Ith 40 мА
Темновой ток Id - - 100 нА
Оптическая изоляция (одноступенчатая) ISO 35 40 - дБ
Оптическая изоляция (двухступенчатая) ISO 45 50 - дБ
Обратные потери RL -45 дБ
Аналоговые характеристики
Относительная интенсивность шума RIN - -155 -150 дБ/Гц -
Неравномерность АЧХ BF ±1.5 дБ
Искажение третьего порядка IMD3 - -55 - дБн
Отношение сигнал/шум CNR 51 - - дБ Примечание 1
Композитные искажения второго порядка CSO - - -57 дБн
Композитные тройные биения CTB - - -65 дБн

Компания Shengshi является специализированным производителем лазерных диодов DFB с волоконным выводом. В дополнение к данной продукции мы также предлагаем широкой ассортимент электронных компонентов, таких как красные лазерные диоды с длиной волны 405-980 нм, импулсьные лазерные диоды, лазерные диоды в корпусе типа «бабочка», фотодиоды в корпусе «оптическая розетка» и т.д.

Схожие названия  
Лазерные диоды с распределенной обратной связью |Лазерный модуль с волоконным выводом | Инжекционный лазерный диод

Новинки
Другие продукты
видео
Отправить сообщение
Отправить сообщение